ME-210-T膜厚測量儀

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• 更新時間：2024-09-03
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ME-210-T膜厚測量儀為一種光學係膜厚測量裝置，這個裝置的特點是可以高精度測量1nm一下的極薄膜，也適合測量玻璃等透明基板上的薄膜。ME-210-T 活用了本公司*的偏光Senor 技術，將不能變為可能，以往的技術是無法測量0.5mm厚的玻璃基板，在這項技術下，可進行極薄膜的高精度測量，舉例來說顯示器用的ITO膜或配向膜的評估，也可運用ME-210-T輕鬆達成。

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ME-210-T膜厚測量儀適用透明基板的高速Mapping橢偏儀，可測量透明基板上的光阻膜及配向膜分布。

橢偏儀為一種光學係膜厚測量裝置，膜厚測量儀這個裝置的特點是可以高精度測量1nm一下的極薄膜，也適合測量玻璃等透明基板上的薄膜。

ME-210-T膜厚測量儀用了本公司*的偏光Senor 技術，將不能變為可能，以往的技術是無法測量0.5mm厚的玻璃基板，在這項技術下，可進行極薄膜的高精度測量，舉例來說顯示器用的ITO膜或配向膜的評估，也可運用ME-210-T輕鬆達成。

ME-210-T的高精度膜厚分布資料，定會對先進的薄膜產品的生產有的用途。

特點

1，高效的測量速度（每分約1000點：）可短時間內取得高密度的麵分布數據。

2，微小領域量測（20un左右）可簡單鎖定&測量任一微小區域。

3，可測量透明基板

適用於解析玻璃基板上的極薄膜。

測量實例

塗布膜邊緣擴大測量

可階段性擴大微小領域，然後獲得詳細的膜厚分布數據。

GaAs Wafer 上酸化膜厚的分布測量

縮小膜厚顯示範圍，膜厚差距不大的樣品，也可以簡單評估、比較其分布狀況。

設備參數